CVD 材料
在半导体制造过程中，CVD材料是生长薄膜必不可少的材料。
除了这里介绍的材料和规格外，我们还可以根据客户的需要提供各种不同规格的材料。
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| 原硅酸四乙酯 (TEOS) | CVD材料容器 |
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产品名称 | 化学名称 |
分子式 | 纯度 |
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| 原硅酸四乙酯 | Tetraethyl Orthosilicate (TEOS) | Si(C2H5O)4 | 99.99999%〜99.999999% |
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硼酸三乙酯 |
Triethyl Borate(TEB) | B(C2H5O)3 | 99.99999% |
| 磷酸三乙酯 | Triethyl Phosphate(TEPO) | PO(C2H5O)3 | 99.99999% |
| 硼酸三甲酯 | Trimethyl Borate(TMB) | B(CH3O3) | 99.99999% |
| 磷酸三甲酯 | Trimethyl Phosphate(TMPO) | PO(CH3O)3 | 99.99999% |
| 亚磷酸三甲酯 | Trimethyl Phosphite(TMPI) | P(CH3O)3 | 99.99999% |
| 三氯氧磷 | Phosphorus Oxychloride | POCl3 | 99.9999% |
| 三溴化硼 | Boron Tribromide | BBr3 | 99.9999% |
| 四氯化钛 | Titanium Tetrachloride | TiCl4 | 99.9999% |
| 甲基三氯硅烷 | Methyltrichlorosilane | CH3SiCl3 | 99.9999% |
| 四氯化硅 | Silicon Tetrachloride | SiCl4 | 99.9999% |
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