半導体工程における「不純物添加」に使用される、イオン注入材料をご提供いたします。当社で取り扱っているイオン注入材料はガス材料と個体材料があります。
ガス材料
当社の提供する濃縮三フッ化化ホウ素は、半導体に使用される11Bを、>99.8%（天然のホウ素では、11Bは約81%しか含まれていません）まで濃縮した製品であり、イオン注入工程において高いスループットと生産効率を高めます。また、シャロードープ材料として、四フッ化ゲルマニウムもご提供しております。
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製品名 | 英語名 |
化学式 | 純度 | サイズ |
|---|---|---|---|---|
| 濃縮三弗化硼素 | 3M™ 11B Enriched Boron Trifluoride | 11BF３ | 4N | *** |
| 四弗化ゲルマニウム | Germanium Tetrafluoride | GeF4 | 4N | *** |
固体材料として、高純度イオン注入材料をご提供いたします。
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製品名 | 英語名 |
化学式 | 純度 | サイズ | SDS 日本語 |
|---|---|---|---|---|---|
| 赤燐 | Red Phosphorus | P | 99.9999% | Chunk, Ingot |  |
| 砒素 | Arsenic | As | 99.9999% | Chunk | |
| 三酸化アンチモン | Antimony Trioxide | Sb2O3 | 99.999% |
Granular, Powder |
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| 三塩化インジウム | Indium Trichloride | InCl3 | 99.999% | Granular | |
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